IXFN32N120
N沟道,电流:32A,耐压:1200V
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFN32N120
- 商品编号
- C3289956
- 商品封装
- SOT-227B
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 780W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@8mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 400nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.9nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有超低的漏源导通电阻（RDS(on)）和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式下的高能量，且漏源二极管具有较短的反向恢复时间。这些器件专为低压、高速开关应用而设计，在这些应用中，电源效率至关重要。规定了雪崩能量，以消除在切换电感负载的设计中的不确定性，并为应对意外的电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 超低漏源导通电阻（RDS(on)），可提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动——可由逻辑IC驱动
- 微型SO - 8表面贴装封装——节省电路板空间
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的漏源泄漏电流（IDSS）
- 规定了雪崩能量
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理
- 大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制