温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IXFN32N120

N沟道,电流:32A,耐压:1200V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: Littelfuse/IXYS
商品型号: IXFN32N120
商品编号: C3289956
商品封装: SOT-227B
包装方式: 盒装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

这些微型表面贴装MOSFET具有超低的漏源导通电阻（RDS(on)）和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式下的高能量，且漏源二极管具有较短的反向恢复时间。这些器件专为低压、高速开关应用而设计，在这些应用中，电源效率至关重要。规定了雪崩能量，以消除在切换电感负载的设计中的不确定性，并为应对意外的电压瞬变提供额外的安全裕量。

商品特性

国际标准封装
miniBLOC,采用氮化铝隔离
低RDS(ON)HDMOSTM 工艺
坚固的多晶硅栅单元结构
具备非箝位电感开关 (UIS) 额定值
低封装电感
快速本征整流器

应用领域

直流-直流转换器
电池充电器
开关模式和谐振模式电源
直流斩波器
温度和照明控制

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	1.2kV
	连续漏极电流(Id)	32A
	导通电阻(RDS(on))	350mΩ@0V
	耗散功率(Pd)	780W
	阈值电压(Vgs(th))	5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	400nC@10V
	输入电容(Ciss)	15.9nF
	反向传输电容(Crss)	260pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1nF