IXFN90N85X
1个N沟道 耐压:850V 电流:90A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性:国际标准封装-miniBLOC,带氮化铝隔离。 隔离电压2500V。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低导通电阻。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFN90N85X
- 商品编号
- C3289957
- 商品封装
- SOT-227B
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.654052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 340nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体(Fairchild onsemi)先进的PowerTrench®工艺制造,该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺在导通电阻RDS(on)、开关性能和耐用性方面进行了优化。
商品特性
- 国际标准封装
- 迷你模块,采用氮化铝隔离
- 隔离电压 2500V~
- 高电流处理能力
- 快速本征二极管
- 雪崩额定值
- 低导通电阻 RDS(on)
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC 转换器
- 功率因数校正(PFC)电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制

