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IXFN90N85X
1个N沟道 耐压:850V 电流:90A
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- 描述
- 特性：国际标准封装-miniBLOC，带氮化铝隔离。 隔离电压2500V。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低导通电阻。应用：开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFN90N85X
- 商品编号
- C3289957
- 商品封装
- SOT-227B
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.654052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V@8mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 340nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体（Fairchild onsemi）先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺在导通电阻RDS(on)、开关性能和耐用性方面进行了优化。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 2.8 A时，最大导通电阻RDS(on) = 128 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 2.4 A时，最大导通电阻RDS(on) = 178 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(on)
- 广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和大电流处理能力
- 开关速度快
- 经过100%单脉冲雪崩耐量（UIL）测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关-主开关