IXTN110N20L2
N沟道增强型MOSFET,电流:100A,耐压:200V
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTN110N20L2
- 商品编号
- C3289963
- 商品封装
- SOT-227B
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 735W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.16nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 专为线性工作设计
- 国际标准封装
- 保证在75°C时的正向偏置安全工作区(FBSOA)
- 雪崩额定
- 模塑环氧树脂符合UL94 V-0阻燃等级
- 带氮化铝隔离的MiniBLOC封装
应用领域
-可编程负载-电流调节器-DC-DC转换器-电池充电器-DC斩波器-温度和照明控制