FQT3P20TF_SB82100
P沟道 MOSFET,电流:-0.67A,耐压:-200V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQT3P20TF_SB82100
- 商品编号
- C3289940
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 670mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
RM6N100S4采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 6 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 140 mΩ（典型值：110 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源