HUF76113T3ST
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.7A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76113T3ST
- 商品编号
- C3289941
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术专门针对最小化导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲进行了优化。这些器件非常适合高效开关型DC/DC转换器和开关电源。
商品特性
- 21A、250V，栅源电压为10V时，漏源导通电阻为0.14Ω
- 低栅极电荷（典型值95nC）
- 低反向传输电容（典型值60pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力