FDS6673AZ
P沟道,电流:-14.5A,耐压:-30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6673AZ
- 商品编号
- C3289839
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 615pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- -14.5 A,-30 V。在VGS = -10 V时,RDS(ON) = 7.2 mΩ;在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 11 mΩ
- 扩展的VGSS范围(-25V),适用于电池应用
- ESD保护二极管
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 开关应用