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NDT3055
1个N沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用）专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和直流-直流转换，这些应用需要快速开关、低线路功率损耗和抗瞬态能力
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDT3055
- 商品编号
- C3289937
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。
商品特性
- -3.8A，-20V。导通状态下的漏源电阻RDS(ON) = 0.07 Ω，栅源电压VGS = -4.5 V；导通状态下的漏源电阻RDS(ON) = 0.1 Ω，栅源电压VGS = -2.7 V。
- 高密度单元设计，实现极低的导通状态下的漏源电阻RDS(ON)
- 广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和电流处理能力。
- 表面贴装封装中的双MOSFET。