ALD910021SALI
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@1uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
这些 N 型增强型功率场效应晶体管是采用专有的平面条形双极结型晶体管技术制造而成的。 这种先进的技术旨在最大程度地降低导通电阻,提供出色的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正系统。
商品特性
- 在栅极-源极电压 VGS 为 10 伏、漏极电流 ID 为 1.75 安的情况下,典型工作状态下的漏源电阻 RDS(on )为 1.25 欧姆。
- 低栅极电荷(典型值为 11 纳库)。
- 低反向转移电容 Crss(典型值为 5 皮法)。
- 快速开关。
- 100% 阀值电击穿测试通过。
- 提高了 dv/dt 性能。
- 符合 RoHS 标准。
相似推荐
其他推荐
