我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
ALD910021SALI实物图
  • ALD910021SALI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ALD910021SALI

2个N沟道

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
ALD
商品型号
ALD910021SALI
商品编号
C3289843
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)10.6V
属性参数值
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))2.1V@1uA
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

这些 N 型增强型功率场效应晶体管是采用专有的平面条形双极结型晶体管技术制造而成的。 这种先进的技术旨在最大程度地降低导通电阻,提供出色的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正系统。

商品特性

  • 在栅极-源极电压 VGS 为 10 伏、漏极电流 ID 为 1.75 安的情况下,典型工作状态下的漏源电阻 RDS(on )为 1.25 欧姆。
  • 低栅极电荷(典型值为 11 纳库)。
  • 低反向转移电容 Crss(典型值为 5 皮法)。
  • 快速开关。
  • 100% 阀值电击穿测试通过。
  • 提高了 dv/dt 性能。
  • 符合 RoHS 标准。

数据手册PDF