温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4100DY-T1-E3
N沟道,电流:4.4A,耐压:100V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4100DY-T1-E3
- 商品编号
- C3289818
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
这些2.5V规格的N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺。针对具有广泛栅极驱动电压（2.5V - 10V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 经过 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-高频升压转换器-液晶电视的 LED 背光源
相似推荐
其他推荐
- SQ4483EY-T1_GE3
- SQ4005EY-T1_BE3
- IRFL9014TRPBF-BE3
- IRLL110TRPBF-BE3
- IRFL210TRPBF
- VS-FC420SA10
- SI2303CDS-T1-BE3
- SQ2301ES-T1_BE3
- SQ2364EES-T1_GE3
- SI2374DS-T1-GE3
- SQ2389ES-T1_BE3
- SI2387DS-T1-GE3
- SI2305CDS-T1-GE3
- SI2319DDS-T1-GE3
- SI2333CDS-T1-GE3
- SI2336DS-T1-BE3
- SIHA6N65E-E3
- SIHA11N80AE-GE3
- SIHF7N60E-E3
- SIHA15N80AEF-GE3
- SIHA15N80AE-GE3