SI4100DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:100V 电流:6.8A
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SI4100DY-T1-E3商品编号
C3289818商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 63mΩ@4.4A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 2.5W；6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 600pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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