温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRLL110TRPBF-BE3

N沟道 MOSFET,电流:0.93A,耐压:100V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRLL110TRPBF-BE3
商品编号: C3289913
商品封装: SOT-223
包装方式: 编带
商品毛重: 0.212克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率 MOSFET 为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223 封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计允许像其他 SOT 或 SOIC 封装一样轻松进行自动拾放,并且由于散热片的散热片增大,还具有改善散热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中,功率耗散可能超过 1.25 W。

商品特性

表面贴装
提供卷带包装
动态 dV/dt 额定值
重复雪崩额定值
逻辑电平栅极驱动
RDS(on) 在 VGS = 4 V 和 5 V 时指定
快速开关

应用领域

电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	1.5A
	导通电阻(RDS(on))	540mΩ@5V
	耗散功率(Pd)	3.1W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	6.1nC
	输入电容(Ciss)	250pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	80pF