IRLL110TRPBF-BE3
N沟道 MOSFET,电流:0.93A,耐压:100V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLL110TRPBF-BE3
- 商品编号
- C3289913
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@5.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
RM2A3P60S4采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -60 V，ID = -2.3 A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 180 mΩ
- 在VGS = -5 V时，RDS(ON) < 260 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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