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STN6N60M2
N通道,电流:5.5A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、1.06 Ohm典型值、4.5 A MDmesh M2功率MOSFET，SOT-223封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STN6N60M2
- 商品编号
- C3289921
- 商品封装
- SOT-223-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@0到10V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.5pF |
商品概述
μPA2738GR 是一款 P 沟道 MOS 场效应晶体管，专为便携式设备的 DC/DC 转换器和电源管理应用而设计。
商品特性
- 漏源电压（VDSS） = -30 V（环境温度 TA = 25°C）
- 低导通电阻
- 最大导通电阻（RDS(on)） = 15 mΩ（栅源电压 VGS = -10 V，漏极电流 ID = -10 A）
- 支持 4.5 V 栅极驱动
- 采用小型表面贴装封装（SOP-8）
- 无铅、无卤素