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IRFL210TRPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:0.96A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计使其能像其他SOT或SOIC封装一样便于自动拾放，此外，由于散热片的焊片增大，还具有改善热性能的优势
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFL210TRPBF
- 商品编号
- C3289914
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 960mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- 符合IEEE802.3af标准
- 雪崩坚固技术
- 坚固栅氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流：在VDS = 100 V时为10 μA（最大值）
- 更低的RDS(ON)：0.155 Ω（典型值）
- SOT - 223
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