IRFL4310PBF
第五代HEXFET MOSFET,电流:1.6A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFL4310PBF
- 商品编号
- C3289916
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松进行自动拾放，并且由于用于散热的散热片增大，还具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可超过1.25 W。
商品特性
- 表面贴装，可提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- P沟道
- 快速开关
- 易于并联