温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- Q2:8.6A、30V。在 VGS = 10V 时,RDS(on) = 0.015Ω
- 在 VGS = 4.5V 时,RDS(on) = 0.020Ω
- Q1:6.3A、30V。在 VGS = 10V 时,RDS(on) = 0.028Ω
- 在 VGS = 4.5V 时,RDS(on) = 0.035Ω
- 开关速度快。
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)。
应用领域
- 电池供电的同步 DC:DC 转换器。
- 嵌入式 DC:DC 转换。