RF1K4909396
2个P沟道 耐压:12V 电流:2.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RF1K4909396
- 商品编号
- C3289824
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 775pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品概述
这款双P沟道功率MOSFET采用先进的MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI),能充分利用硅材料,从而实现出色的性能。它适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和低压总线开关等应用。该产品在3V - 5V的栅极偏置电压下可达到额定导通状态,从而便于直接通过逻辑电平(5V)集成电路实现真正的通断功率控制。
商品特性
- 2.5A,12V
- rDS(ON) = 0.130 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 导通电阻与栅极驱动电压曲线
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关(UIS)额定曲线
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 低压总线开关