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STS6P3LLH6
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET(TM) VI DeepGATE功率MOSFET，SO-8封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS6P3LLH6
- 商品编号
- C3289826
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 178pF |
商品概述
采用专有高单元密度DMOS技术制造SO-8封装N沟道增强型功率场效应晶体管。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬变的电池供电电路。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.040 Ω
- 6 A、30 V。在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 0.028 Ω
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装中的双MOSFET