SI4456DY-T1-E3
N沟道,电流:33A,耐压:40V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4456DY-T1-E3
- 商品编号
- C3289816
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.67nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 287pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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