FDS8958
双通道N沟道和P沟道MOSFET,电流:7A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8958
- 商品编号
- C3289817
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 789pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 306pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用国家半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。
商品特性
- -5.3 A，-20 V
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) = 0.05 Ω
- 当VGS = -6 V时，RDS(ON) = 0.065 Ω
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 0.09 Ω
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和大电流处理能力。