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DMTH4007LPSQ-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电机控制、直流-直流转换器、负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4007LPSQ-13
- 商品编号
- C3289394
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25944克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.895nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 485pF |
商品特性
- 额定温度达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 热效率高的封装,可降低应用运行温度
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON),可将导通状态损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度小于1.1mm,适用于轻薄型应用
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- DMTH4007LPSQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-电机控制-DC-DC转换器-负载开关