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DMHC3025LSDQ-13
2xN+2xP通道，30V，6.0A
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- 描述
- 这款新一代互补 MOSFET H 桥在 SOIC 封装中集成了 2N 和 2P 沟道。该 H 桥已通过 AECQ101 认证，非常适合驱动：螺线管、直流电机、音频输出。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMHC3025LSDQ-13
- 商品编号
- C3289659
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道+2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 631pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
我们先进的MOSFET解决方案具备当今市场所需的灵活性和性能。您可以从广泛的通用MOSFET解决方案中进行选择，它们采用多种封装形式，从较大的SOT223到超小型的DFN1006B - 3（极致小型化封装）。
商品特性
- SOIC封装,包含2个N沟道和2个P沟道
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
-螺线管-直流电机-音频输出