IRF7473PBF
MOSFET,电流:6.9A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7473PBF
- 商品编号
- C3289677
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些双P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
商品特性
-超低导通电阻-高速开关-因改善的栅极电荷特性而具有低栅极驱动电流-改善的雪崩耐量和动态 dv/dt-完整表征的雪崩电压和电流
应用领域
- 电信和数据通信 24V 和 48V 输入 DC-DC 转换器
- 电机控制
- 不间断电源