FDS4885C
双N/P沟道增强模式MOSFET,电流:7.5A,耐压:40V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4885C
- 商品编号
- C3289719
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
- 最新先进沟槽技术-低导通电阻RDS(ON)-高电流承载能力-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- Q1:N 沟道
- 7.5 A,40 V
- 当 VGS = 10 V 时,RDS(ON) = 22 mΩ
- 当 VGS = 7 V 时,RDS(ON) = 35 mΩ
- Q2:P 沟道
- -6 A,-40 V
- 当 VGS = -10 V 时,RDS(ON) = 31 mΩ
- 当 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 42 mΩ
- 快速开关速度
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和处理能力
应用领域
-同步整流器-背光逆变器级