FDS8962C
双通道N/P沟道,电流:7A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8962C
- 商品编号
- C3289784
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 528pF |
商品概述
这些P沟道MOSFET采用飞兆半导体（FSC）的PowerTrench®技术制造。它们采用单个SO - 8封装，该封装设计允许两个MOSFET独立工作，每个MOSFET都有自己的散热片。硅技术和封装技术的结合使电路板占用空间和成本降至最低。
商品特性
- Q1：P沟道
-
- 4.3 A， - 30 V，VGS = - 10 V时，RDS(on) = 55 mΩ
- VGS = - 4.5 V时，RDS(on) = 85 mΩ
- Q2：P沟道
-
- 6.8 A， - 12 V，VGS = - 4.5 V时，RDS(on) = 17 mΩ
- VGS = - 2.5 V时，RDS(on) = 24 mΩ
- VGS = - 1.8 V时，RDS(on) = 30 mΩ
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高处理能力
- SO - 8