FDS6675A
P沟道 MOSFET,电流:11A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6675A
- 商品编号
- C3289811
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 610pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC - Q101认证
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 材料分类：有关合规性定义，请参阅www.vishay.com/doc?99912
- P沟道MOSFET