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SQ9407EY-T1_BE3

1个P沟道耐压:60V 电流:4.6A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQ9407EY-T1_BE3
商品编号: C3289813
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

FDS6990S旨在替代同步DC-DC电源中的双SO-8 MOSFET和两个肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高电源转换效率，具备低RDS(ON)和低栅极电荷。每个MOSFET都采用仙童半导体的单片SyncFET技术集成了肖特基二极管。FDS6990S作为同步整流器中的低端开关，其性能与FDS6990A并联肖特基二极管的性能相似。

商品特性

在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 30 mΩ
7.5A、30V。在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 22 mΩ
集成SyncFET肖特基二极管
低栅极电荷（典型值为11 nC）
采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
具备高功率和电流处理能力

应用领域

DC/DC转换器
电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	4.6A
	导通电阻(RDS(on))	85mΩ@10V,3.5A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	3.75W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	40nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.14nF@30V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)