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SI4056ADY-T1-GE3
N沟道MOSFET,电流:8.3A,耐压:100V
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- 描述
- 特性：沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。 逻辑电平栅极驱动。 100%进行Rg和UIs测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4056ADY-T1-GE3
- 商品编号
- C3289800
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺，具备坚固耐用的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 25V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在VGS = - 4.5 V时，RDS(ON) = 35 mΩ
-
- 8.8 A、- 30 V，在VGS = - 10 V时，RDS(ON) = 20 mΩ
- 低栅极电荷（典型值为17nC）
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- SO-8封装
应用领域
- 电源管理-负载开关-电池保护
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