NDS9933A
双P沟道,电流:2.8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9933A
- 商品编号
- C3289805
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品特性
- 2.8 A,-20 V。VGS = -4.5 V时,RDS(on) = 0.14 Ω
- VGS = -2.7 V时,RDS(on) = 0.19 Ω
- VGS = -2.5 V时,RDS(on) = 0.20 Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(on)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力。
- 表面贴装封装中的双MOSFET。
应用领域
- 直流电机控制
- DC/DC转换