HUF75831SK8T
3A,150V,0.095Ohm,N沟道 UltraFET Power MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75831SK8T
- 商品编号
- C3289810
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术生产SO-8封装P沟道增强型功率场效应晶体管。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.095 Ω,VGS = 10 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关(UIS)额定曲线