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SI4431BDY-T1-E3
1个P沟道 耐压:30V 电流:7.5A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4431BDY-T1-E3
- 商品编号
- C3289803
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别设计，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤产品
- P 沟道 MOSFET
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