SI4420DY
单N沟道,电流:12.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI4420DY
- 商品编号
- C3289807
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
这款P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种极高密度的工艺特别针对降低导通电阻和提供卓越的开关性能进行了优化。 这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和DC/DC转换，在这些应用中需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- 12.5 A、30 V。VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.009 Ω
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.013 Ω
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-电池开关-负载开关-电机控制