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SQ9945BEY-T1_BE3

2个N沟道耐压:60V 电流:5.4A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQ9945BEY-T1_BE3
商品编号: C3289789
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是，这种MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

商品特性

沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
通过AEC-Q101认证

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	5.4A
	导通电阻(RDS(on))	64mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	4W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	12nC@10V
	输入电容(Ciss)	470pF
	工作温度	-55℃~+175℃