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SI4090BDY-T1-GE3
N沟道,电流:18.7A,耐压:100V
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100 % Rg和UIS测试。 RoHS合规。 无卤。应用：DC/DC初级侧开关。 电信/服务器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4090BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C3289794
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
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