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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.674nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 254pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 751pF |
商品概述
RM13P40S8采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40V，漏极电流（ID） = -13A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 15 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 18 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 散热性能良好的优质封装
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-DC-DC转换器