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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.674nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 254pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 751pF |
商品概述
RM13P40S8采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），可用于多种应用场景。
商品特性
- R D S (O N) = 1 2. 5 m Ω(V G S = 4. 5 V 时)
- 13.5 A、30 V;RDS(ON) = 9 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷(典型值24nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)和快速开关
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动器