RF1K49157
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RF1K49157
- 商品编号
- C3289793
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.575nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品概述
这款N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低电压应用而设计，可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 2.7V时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 0.60 Ω
- 0.95 A、25 V。栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 0.45 Ω
- 低栅极电荷（典型值1.64 nC）
- 极低的栅极驱动要求，允许在3V电路中直接工作（栅源阈值电压（VGS(th)） < 1.5V）
- 具备栅源齐纳二极管，增强ESD耐受性（人体模型>6kV）
- 紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理