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SI4425FDY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:18.3A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 测试。应用：适配器开关。 电池管理
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4425FDY-T1-GE3
- 商品编号
- C3289788
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能。 这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- 7.3 A、30 V。在 VGS = 10 V 时，RDS(ON) = 28 mΩ
- 在 VGS = 4.5 V 时，RDS(ON) = 42 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 采用广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和高电流处理能力。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路
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