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SI4425FDY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:18.3A
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SI4425FDY-T1-GE3商品编号
C3289788商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V, | |
| 功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.62nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 56pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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