FDS6990S
双30V N沟道MOSFET,电流:7.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6990S
- 商品编号
- C3289754
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.233nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 106pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用专有高单元密度 DMOS 技术制造的 SO-8 封装 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这一超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在这些应用中需要快速开关、低线路功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 30 mΩ
- 7.5A、30V。在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 22 mΩ
- 集成SyncFET肖特基二极管
- 低栅极电荷(典型值为11 nC)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 具备高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动器