FDS2570
N沟道,电流:4A,耐压:150V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS2570
- 商品编号
- C3289774
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.907nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似漏源导通电阻（RDS(ON)）规格的其他MOSFET相比，该MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这款MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- 栅源电压（VGS）为4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.0200 Ω
- 10 A、30 V。栅源电压（VGS）为10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.0135 Ω
- 针对使用PWM控制器的开关型DC/DC转换器进行了优化。
- 开关速度极快。
- 栅极电荷低（典型值为22 nC）。
- SOT - 23
- SuperSOT - 6
- SuperSOT - 8
- SO - 8
- SOT - 223
- SOIC - 16