FDS6676
30V, 14.5A, N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6676
- 商品编号
- C3289782
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.103nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 361pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似漏源导通电阻（RDS(ON)）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- R D S (O N) = 8 m Ω(V G S = 4. 5 V 时)
- 14.5 A,30 V。RDS(ON) = 7 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 低栅极电荷(典型值45 nC)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器