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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 888pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4818B采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -3.0 A时，最大rDS(on) = 115 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -1.5 A时，最大rDS(on) = 180 mΩ
- 在2 A电流下，VF < 0.45 V
- 在100 mA电流下，VF < 0.28 V
- 肖特基二极管和MOSFET集成于单个功率表面贴装SO - 8封装中
- 肖特基二极管和MOSFET引脚电气独立，便于灵活设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换