AO4818B
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4818B
- 商品编号
- C3289766
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 888pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDFS2P753AZ为DC/DC转换提供了单封装解决方案。它在SO - 8封装中集成了一款出色的仙童PowerTrench MOSFET和一个肖特基二极管。该MOSFET具有低导通电阻和优化的栅极电荷，可实现快速开关。独立连接的肖特基二极管具有低正向电压降，可将功率损耗降至最低。该器件是峰值负载电流高达3A的理想DC - DC解决方案。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -3.0 A时，最大rDS(on) = 115 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -1.5 A时，最大rDS(on) = 180 mΩ
- 在2 A电流下，VF < 0.45 V
- 在100 mA电流下，VF < 0.28 V
- 肖特基二极管和MOSFET集成于单个功率表面贴装SO - 8封装中
- 肖特基二极管和MOSFET引脚电气独立，便于灵活设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换