SI4920DY
双N通道逻辑电平MOSFET,电流:6A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI4920DY
- 商品编号
- C3289759
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用仙童半导体(Fairchild Semiconductor)先进的PowerTrench工艺制造,该工艺经过特别优化,可最大程度降低导通电阻,同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合需要低线路功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。
商品特性
- 6 A、30 V。RDS(ON) = 0.028 Ω(VGS = 10 V);RDS(ON) = 0.035 Ω(VGS = 4.5 V)
- 开关速度快。
- 栅极电荷低(典型值为9 nC)。
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 具备高功率和大电流处理能力。
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护