SI4920DY
双N通道逻辑电平MOSFET,电流:6A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI4920DY
- 商品编号
- C3289759
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺，具备坚固的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V – 25V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 6 A、30 V。RDS(ON) = 0.028 Ω(VGS = 10 V);RDS(ON) = 0.035 Ω(VGS = 4.5 V)
- 开关速度快。
- 栅极电荷低(典型值为9 nC)。
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 具备高功率和大电流处理能力。
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护