商品概述

第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可超过0.8W。

商品特性

超低导通电阻
表面贴装
动态dv/dt额定值
快速开关
无铅

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	7mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	3.6W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.1V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	42nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.7nF@10V
	反向传输电容(Crss)	315pF@10V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道

SI4114DY-T1-E3

商品参数

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