ALD110900SAL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 20mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1pF | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
- 精确的零阈值电压模式
- 在 VGS = 0.00V 时,标称 RDS(ON) 为 104 KΩ
- MOSFET 之间特性匹配
- 批次间参数控制严格
- VGS(th) 匹配(VOS)最大为 2mV 和 10mV
- 正、零和负 VGS(th) 温度系数
- 低输入电容
- 低输入/输出泄漏电流
应用领域
-能量收集电路-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障检测器-低电平电压钳位和过零检测器-源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-电容式探头和传感器接口-电荷检测器和电荷积分器-差分放大器输入级-高端开关-峰值检测器和电平转换器-采样与保持-电流倍增器-模拟开关/多路复用器-电压比较器和电平转换器