ALD110900SAL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 20mV@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1pF | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
- 由于极低的品质因数（FOM）（(R_{\mathrm{DS(on)}} * Q_{\mathrm{g}})和(R_{\mathrm{DS(on)}} * E_{\mathrm{oss}})），损耗极低
- 出色的热性能
- 集成ESD保护二极管
- 低开关损耗（(\mathrm{E}_{\text {oss }})）
- 产品符合JEDEC标准验证
应用领域
- 推荐用于反激式拓扑，例如充电器、适配器、照明应用等。