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SI4850EY-T1-E3
1个N沟道 耐压:60V 电流:8.5A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 最高结温175℃。 符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4850EY-T1-E3
- 商品编号
- C3289752
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.270271克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些双 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过专门优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- TrenchFET功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 同步整流器-背光逆变器级
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