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AO4840
2个N沟道 耐压:40V 电流:6A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4840
- 商品编号
- C3289750
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 516pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品概述
SKY65050 - 372LF是一款高性能n沟道低噪声晶体管。该器件采用先进的耗尽型pHEMT工艺制造，采用2.20 × 1.35 × 1.10 mm的4引脚SC - 70封装。 该晶体管的低噪声系数（NF）、高增益和出色的三阶截点（IP3）使其可用于各种接收器和发射器应用。 SKY65050 - 372LF是一款为低噪声、高频应用设计的耗尽型pHEMT。在2.4 GHz无线局域网频段测试时，SKY65050 - 372LF的典型噪声系数为0.65 dB。使用相同电路可实现典型增益为15.5 dB。如果工作频率降至1 GHz范围，包括输入匹配网络损耗在内，该器件的噪声系数性能可接近0.5 dB。 除了常用频段的典型电路拓扑外，还提供去嵌入散射和噪声参数。通过合适的电路，SKY65050 - 372LF可用于450 MHz至6 GHz的多种应用。紧凑的SC - 70封装使SKY65050 - 372LF成为理想的低噪声、低成本解决方案。
商品特性
- 外部匹配，可实现宽带操作
- 仅器件本身在2.4 GHz时噪声系数 = 0.45 dB
- 包括匹配网络损耗时在2.4 GHz的噪声系数 = 0.65 dB
- 在2.4 GHz时增益 = 15.5 dB
- 在2.4 GHz、VDD = 3 V、Idd = 20 mA时OIP3 = +23.5 dBm
- 在2.4 GHz、VDD = 3 V、IDD = 20 mA时P1dB = +10.5 dBm
- 供电电流可调，范围为5至55 mA
- 小型SC - 70（4引脚，2.20 × 1.35 × 1.10 mm）封装（根据JEDEC J - STD - 020标准，MSL1，260°C）
应用领域
- 无线基础设施：WLAN、WiMAX、宽带、蜂窝基站
- 测试仪器
- GPS接收器的低噪声放大器
- 卫星接收器