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AO4840实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO4840

2个N沟道 耐压:40V 电流:6A

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品牌名称
AOS
商品型号
AO4840
商品编号
C3289750
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.61克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)8.9nC@10V
输入电容(Ciss)516pF
反向传输电容(Crss)43pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)82pF

商品概述

AO4840采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款双器件适用于用作负载开关或PWM应用。

商品特性

  • 外部匹配,可实现宽带操作
  • 仅器件本身在2.4 GHz时噪声系数 = 0.45 dB
  • 包括匹配网络损耗时在2.4 GHz的噪声系数 = 0.65 dB
  • 在2.4 GHz时增益 = 15.5 dB
  • 在2.4 GHz、VDD = 3 V、Idd = 20 mA时OIP3 = +23.5 dBm
  • 在2.4 GHz、VDD = 3 V、IDD = 20 mA时P1dB = +10.5 dBm
  • 供电电流可调,范围为5至55 mA
  • 小型SC - 70(4引脚,2.20 × 1.35 × 1.10 mm)封装(根据JEDEC J - STD - 020标准,MSL1,260°C)

应用领域

  • 无线基础设施:WLAN、WiMAX、宽带、蜂窝基站
  • 测试仪器
  • GPS接收器的低噪声放大器
  • 卫星接收器

数据手册PDF