AOSD21307
2个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOSD21307
- 商品编号
- C3289742
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.995nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
-笔记本电脑交流输入负载开关-电池保护充放电