SI4822DY
单N沟道,电流:12.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI4822DY
- 商品编号
- C3289744
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器
- N沟道MOSFET
- P沟道MOSFET