FDS4935
双30V P沟道MOSFET,电流:-7A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4935
- 商品编号
- C3289735
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.233nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 311pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对“低端”同步整流器操作进行了优化，在小封装中提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。
商品特性
- -7A,-30V
- RDS(ON) = 23 mΩ(VGS = -10 V时)
- RDS(ON) = 35 mΩ(VGS = -4.5 V时)
- 低栅极电荷(典型值15nC)
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护