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FDS6912
双N沟道逻辑电平MOSFET,电流:6A,耐压:30V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6912
- 商品编号
- C3289739
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比,这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是,这种MOSFET易于驱动且驱动更安全(即使在非常高的频率下),并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- 6 A、30 V。VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.028 Ω
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.042 Ω
- 针对与PWM控制器配合使用的开关型DC/DC转换器进行了优化
- 开关速度极快
- 栅极电荷低