NDS8961
双N沟道,电流:3.1A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS8961
- 商品编号
- C3289724
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这款指定 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用高单元密度 DMOS 技术工艺制造，该工艺经过特别定制，可在最大限度降低导通电阻的同时保持较低的栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。 这些器件旨在以极小的封装尺寸实现出色的功率耗散。
商品特性
- 10.5 A、20 V。
- 当 VGS = 4.5 V 时，RDS(ON) = 13.5 mΩ
- 当 VGS = 2.7 V 时，RDS(ON) = 16 mΩ
- 高单元密度，实现极低的 RDS(ON)
- 广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC 转换器-负载开关