SI9426DY
单通道N沟道MOSFET,电流:10.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI9426DY
- 商品编号
- C3289731
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 890pF |
商品概述
FDS7066ASN3旨在取代同步DC:DC电源中的单个SO-8 FLMP MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高电源转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。FDS7066ASN3采用单片SyncFET技术，集成了肖特基二极管。FDS7066ASN3作为同步整流器中的低端开关，其性能接近与肖特基二极管并联的FDS7066N3的性能。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 6.0 mΩ
- 19 A、30 V，在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 4.8 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关
- FLMP SO-8封装：在行业标准封装尺寸下具有增强的热性能
应用领域
- DC/DC转换器